半导体人工石墨中的纳戈亚克铁磁性

我们报道了在基于半导体的人工石墨中观察到纳戈亚克铁磁性，这一现象在采用高精度变分和扩散蒙特卡方法，并辅以广义 Hubbard 模型的精确对角化计算后得出。我们分析了基于GaAs量子阱上纳米图案化的armchair六边形几何模型。我们的结果揭示，由于半填态下单电子的缺失/添加，引发了明确的磁相转移。这一形式的便携式磁性在大规模真实系统中未被确认。我们证明，库仑散射项在稳定纳戈亚克铁磁性方面起着关键作用，使系统参数接近 $U/t \approx 60$ 时能够观察到相转移。