$1T$-TaS$_2$ 低温相中的 Mott 能隙与杂化能隙
强关联电子
2022-07-13 v1 材料科学
摘要
我们使用 + EDMFT 方法计算了层叠 -TaS 双层的关联电子结构。取决于表面终止方式，半无限无关联体系要么是能带绝缘体，要么呈现金属性表面态。对于实际的在位与位间相互作用值，表面态中打开了 Mott 能隙，但该能隙小于源自双层结构的能隙。我们的结果与近期针对不同终止层的扫描隧道谱测量一致，也与我们自己表明电子能谱中不同能隙空间区域共存的光电子能谱测量相符。
引用
@article{arxiv.2202.01285,
title = {Mott versus hybridization gap in the low-temperature phase of $1T$-TaS$_2$},
author = {Francesco Petocchi and Christopher W. Nicholson and Bjoern Salzmann and Diego Pasquier and Oleg V. Yazyev and Claude Monney and Philipp Werner},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.01285},
year = {2022}
}