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二维Hubbard模型中的金属-绝缘体转变:基于Lanczos精确对角化的对偶费米子方法

强关联电子 2019-05-22 v3

摘要

本研究借助梯型对偶费米子近似(LDFA),结合态密度(DOS)与谱函数,重新审视了半填充方晶格 Hubbard 模型中的金属-绝缘体转变。为此,提出了一种以预解式形式表达的双体格林函数新表达式,其为利用 Lanczos 精确对角化(ED)方法计算局域顶点函数提供了可行且高效的手段。这使得 Lanczos ED 方法能够作为 LDFA 的有效杂质 Anderson 模型求解器,为这些动力学平均场理论的微扰扩展方法通向低温开辟了道路,并通过最大熵方法的一种新变体在实频轴上获得精确的 DOS 与谱函数。研究发现,对于 U3.5tU\le 3.5t,随着温度降低,谱函数准粒子峰中由反铁磁关联引起的赝能隙形成于 X 点 [k=(π,0)][k=(\pi,0)],蔓延过费米面并在 M2_2[k=(π/2,π/2)][k=(\pi/2,\pi/2)] 结束。赝能隙的几乎同时产生与费米液体特征的丧失,与 Slater 区中所预期的一致。尽管对于 U4.0tU\ge 4.0t 赝能隙仍出现在准粒子状单峰中,但正如 Mott-Heisenberg 区所预期的那样,费米面上的费米液体特征在更高温度已部分丧失,其中局域自旋在高温下预先形成。发现在有限 U4.7tU^{*} \approx 4.7t 下,赝能隙相到 Mott 绝缘体的急剧交叉发生于赝能隙形成温度以下,类似于先前采用非线性 σ\sigma 模型方法的研究。

关键词

引用

@article{arxiv.1812.04805,
  title  = {Metal-insulator transition in the 2D Hubbard model: dual fermion approach with the Lanczos exact diagonalization},
  author = {Arata Tanaka},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1812.04805},
  year   = {2019}
}

备注

24 pages, 16 figures