C60分子光子发射中的Jahn-Teller谱指纹
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v1
摘要
我们通过参数自由的Lanczos对角化电子-振子哈密顿量,包括完整的8个H_g,6个G_g和2个A_g模式耦合,在有限温度下计算C60->C60+分子光子发射的h_u空穴光谱强度.在800K处计算得到的光谱与气相数据高度吻合.结果表明,C60中第一主肩峰与主光子发射峰之间的能隙分离230meV,可直接且相当普遍地衡量最终态Jahn-Teller耦合强度.
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0307695,
title = {Longitudinal conductivity in Si/SiGe heterostructure at integer filling factors},
author = {I. Shlimak and V. Ginodman and M. Levin and M. Potemski and D. K. Maude and K. -J. Friedland and D. J. Paul},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0307695},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 8 figures (included), accepted in Phys. Rev. B