HgTe 量子阱中的局域 Andreev 边缘态
超导电性
2011-08-15 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了在 HgTe-CdTe 量子阱中形成的拓扑绝缘体（TI）中，超导电性与拓扑序的相互作用，该 TI 与置于 CdTe 层顶部的 s 波各向同性超导体（SC）耦合。邻近效应在 TI 中诱导出超导关联，影响了 TI 电子态的分类。根据耦合强度以及 SC 和 TI 中的初始化学势，边缘态要么 (i) 变得有能隙，要么 (ii) 杂化形成局域 Andreev 态，要么 (iii) 与体态合并，将 TI 转变为各向异性的窄带隙半导体。
关键词
引用
@article{arxiv.1104.3499,
title = {Localized Andreev edge states in HgTe quantum wells},
author = {I. M. Khaymovich and N. M. Chtchelkatchev and V. M. Vinokur},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.3499},
year = {2011}
}
备注
6 pages, 6 figures, Refs. added