HgTe 量子自旋霍尔绝缘体中的无能隙安德烈夫束缚态
介观与纳米尺度物理
2016-11-29 v1 超导电性
摘要
近年来，马约拉纳物理因新奇现象及其在容错拓扑量子计算中的前景，在理论与实验研究中引起了相当多的关注。为此，需要在拓扑绝缘体中设计超导性与电子性质的相互作用，但实验工作仍然稀少且模糊。在此我们报告了在 HgTe 量子阱中诱导拓扑超导的实验证据，HgTe 量子阱是一种展现量子自旋霍尔效应的二维拓扑绝缘体。交流约瑟夫森效应表明超电流随超导相位差具有 周期性，这由多个 Shapiro 步的电压阶跃加倍所指示。此外，对垂直磁场的异常类 SQUID 响应表明该 周期超电流源自结边缘的态。当样品被栅极调至量子自旋霍尔区域时，这两个特征均表现得最强，从而为量子自旋霍尔边缘态中诱导的拓扑超导提供了证据。
引用
@article{arxiv.1601.08055,
title = {Gapless Andreev bound states in the quantum spin Hall insulator HgTe},
author = {Erwann Bocquillon and Russell S. Deacon and Jonas Wiedenmann and Philipp Leubner and Teun M. Klapwijk and Christoph Brüne and Koji Ishibashi and H. Buhmann and Laurens W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.08055},
year = {2016}
}
备注
16 pages, 5 figures (main text) + 11 pages, 4 figures (SI)