基于偏振 X 射线吸收谱的 B/Si(111) 中 B 原子局域几何结构

利用近边 X 射线吸收精细结构（NEXAFS）研究了掺杂 Si(111)-$(\sqrt{3}\times\sqrt{3})R30^{\circ}$:B 体系中 B 原子的排布。通过反复闪蒸样品使其从体相偏析而沉积硼原子。通过比较测量的偏振（角度依赖）NEXAFS 谱与基于第一性原理总能量计算的各种结构模型谱，确定了 B 原子的位置。发现大多数硼原子位于表面下 L$_{1}^{c}$ 位置，即一个 Si 原子下方。然而，根据制备方法的不同，相当一部分 B 原子可能位于其他位置。这些非 L$_{1}^{c}$ 原子的可能位置是在表面，邻近那些形成 $(\sqrt{3}\times\sqrt{3})R30^{\circ}$ 重构的 Si 原子。