硼掺杂Si(111)-$\sqrt 3 \times \sqrt 3$表面的磁性
材料科学
2018-04-04 v1
摘要
我们利用第一性原理计算研究了在高硼掺杂样品中稳定的Si(111)-表面可能具有的磁性。当位于硼原子上方的硅吸附原子被移除而形成缺陷结构时，会暴露出三个硅悬键，在带隙中产生半填充的双重简并能级，从而稳定一个2 的局域磁矩。当许多此类缺陷结构彼此相邻时，它们呈反铁磁性排列。然而，我们证明可通过调节缺陷中的电子数来稳定铁磁性，这暗示了该独特硅表面结构在自旋电子学应用上的可能性。
引用
@article{arxiv.1711.07040,
title = {Magnetism on the boron-doped Si(111)-$\sqrt 3 \times \sqrt 3$ surface},
author = {Chang-Youn Moon and Daejin Eom and Ja-Yong Koo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.07040},
year = {2018}
}