SiC(110)表面缺陷诱导磁矩的理论研究
材料科学
2015-05-20 v1 介观与纳米尺度物理
其他凝聚态物理
摘要
利用基于密度泛函理论的第一性原理计算，通过SIESTA代码，研究了不同表面缺陷对立方β-SiC(110)表面原子和电子结构的影响。在计算中，允许每个原子具有不同的自旋布居。我们发现，虽然氧或氮的吸附以及氢在C表面碳原子上的吸附不会在SiC(110)上诱导磁矩；但硅空位、Si位上的替代碳以及氢或氟在硅表面位点上的吸附会在缺陷附近的碳原子上诱导高达0.7 μB的局域磁矩。局域磁矩的排列从氢吸附情况下的铁磁性变化到硅空位和替代碳情况下的反铁磁性。详细讨论了氢在Si表面原子上的吸附情况。结论是，磁性主要源于C价轨道的局域特性。
引用
@article{arxiv.1010.3593,
title = {Theoretical Study of Magnetic Moments Induced by Defects at the SiC (110) Surface},
author = {Adrien Poissier and Nicolás Lorente and Félix Yndurain},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.3593},
year = {2015}
}