Si(001)台阶表面悬挂键电子的反铁磁有序
介观与纳米尺度物理
2015-06-15 v1 材料科学
计算物理
摘要
利用第一性原理密度泛函计算，我们探索了Si(001)表面再键合台阶处磁有序的可能性。包含三配位Si原子的再键合台阶可被视为沿台阶边缘的一维悬挂键（DB）线。我们发现，由于Jahn-Teller型畸变，组成台阶边缘的Si原子交替上下位移，但如果平台上的Si二聚体被H原子钝化，则反铁磁（AFM）序可以在台阶边缘稳定，同时抑制Jahn-Teller型畸变。我们还发现，随着DB线长度的减小，AFM序相对于Jahn-Teller型畸变的能量优势以振荡方式增强，显示出所谓的量子尺寸效应。
引用
@article{arxiv.1303.1175,
title = {Antiferromagnetic ordering of dangling-bond electrons at the stepped Si(001) surface},
author = {Jun-Ho Lee and Sun-Woo Kim and Jun-Hyung Cho},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.1175},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 4 figures, Accepted in Journal of Chemical Physics