Cr-Si-B体系中T2相的占位情况：同步辐射XRD与第一性原理联合研究
材料科学
2021-03-17 v4
摘要
在密度泛函理论（DFT）框架下，通过实验和第一性原理电子结构计算研究了Cr-Si-B体系中T2相的硼和硅占位情况。将标称成分为CrBSi的样品在氩气下电弧熔炼，封装于石英管中并在1400{\deg}C热处理96小时。随后使用扫描电子显微镜（SEM）和同步辐射X射线衍射（XRD）对其进行分析。实验与理论计算之间取得了极佳的一致性，揭示出由于弱B键的存在，Si优先占据结构的子晶格，使得占位偏好成为其稳定的关键因素。鉴于已知T2相出现在许多重要的过渡金属-硅-硼三元体系（如Nb/Mo/W/Ta/V-Si-B）中，本工作结果为更好地描述含Si和B合金中的该相提供了重要信息。
引用
@article{arxiv.2005.06900,
title = {T2 phase site occupancies in the Cr--Si--B system: a combined synchroton-XRD/first-principles study},
author = {Thiago T. Dorini and Bruno X. de Freitas and Pedro P. Ferreira and Nabil Chaia and Paulo A. Suzuki and Jean-Marc Joubert and Carlos A. Nunes and Gilberto C. Coelho and Luiz T. F. Eleno},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.06900},
year = {2021}
}