非均匀掺杂或异形 PN 结二极管的大信号与高频分析
应用物理
2020-11-30 v1 介观与纳米尺度物理
计算物理
摘要
本文提出一种承受高频大信号的均匀或非均匀掺杂或异形 PN 结二极管的分析理论。所得表达式可用于评估半导体器件建模软件的性能。采用横向平均技术将三维载流子输运方程化简为准一维形式，所有物理量均沿纵向变化截面取平均。尽管假设了轴对称，该方法仍给出了静态电流–电压特性、扩散电导与扩散电容关于信号幅度及截面非均匀性的有用解析表达式。
引用
@article{arxiv.2011.13896,
title = {Large-Signal and High--Frequency Analysis of Nonuniformly Doped or Shaped PN-Junction Diodes},
author = {Anatoly A. Barybin and Edval J. P. Santos},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.13896},
year = {2020}
}
备注
14 pages, 3 figures