高载流子密度有机半导体器件的数值模拟
计算物理
2012-12-13 v2
摘要
我们完整描述了具有任意场依赖和密度依赖迁移率的掺杂无序半导体通用载流子输运模型的数值解法。我们提出了一种合适的缩放方案，并推广了 Gummel 迭代过程，给出了在广义爱因斯坦关系成立时 van Roosbroeck 方程的离散化和线性化方法。我们表明，传统迭代在高掺杂问题中是不稳定的，而广义方案则能收敛。该方法在大注入情况下也提供了显著的效率提升，并在传统方法收敛的情况下复现了已知结果。
引用
@article{arxiv.1208.3365,
title = {Numerical simulation of organic semiconductor devices with high carrier densities},
author = {S. Stodtmann and R. M. Lee and C. K. F. Weiler and A. Badinski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.3365},
year = {2012}
}
备注
9 pages, 3 figures