无序半导体的广义爱因斯坦关系——对器件性能的影响
统计力学
2007-05-23 v2
摘要
推导了类高斯态密度下迁移率与扩散参数之比。这种稳态分析预计适用于广泛的有机材料（聚合物或小分子），因为它仅依赖于准平衡的存在。我们的分析表明，无陷阱无序有机材料中的输运对电荷密度存在固有依赖性。讨论了这对发光二极管中的接触现象和激子产生率以及场效应晶体管中的沟道宽度的影响。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0109432,
title = {Generalized Einstein relation for disordered semiconductors - implications for device performance},
author = {Yohai Roichman and Nir Tessler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0109432},
year = {2007}
}