电场对无序材料中扩散的影响 II. 二维和三维跳跃输运
无序系统与神经网络
2012-01-10 v1
摘要
在之前的论文 [Nenashev 等人, arXiv:0912.3161] 中，通过数值模拟验证的解析理论被发展用于一维高斯无序系统中与场相关的跳跃扩散系数 D(F)。该论文的主要结果是低电场下扩散系数的线性、非解析场依赖性。在当前论文中，为三维和二维高斯无序系统在跳跃输运机制下的场相关扩散系数发展了一个解析理论。该理论预测低场下扩散系数具有平滑的抛物线场依赖性。该结果得到了蒙特卡洛计算机模拟的支持。尽管迁移率和纵向扩散率具有平滑的场依赖性，但研究表明，即使在非常低的电场下，这些输运系数之间传统的爱因斯坦关系形式也被违反。
引用
@article{arxiv.0912.3169,
title = {Effect of Electric Field on Diffusion in Disordered Materials II. Two- and Three-dimensional Hopping Transport},
author = {A. V. Nenashev and F. Jansson and S. D. Baranovskii and R. Österbacka and A. V. Dvurechenskii and F. Gebhard},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.3169},
year = {2012}
}
备注
12 pages, 7 figures