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大信号高频下 p-n 结二极管特性的测量

应用物理 2020-11-30 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

使用精密阻抗仪对频率高达 10×τp,n110 \times \tau_{p,n}^{-1}、电压幅值达 100 mV 的二极管动态电导与动态电容进行了测量。将结果与采用 p-n 结中载流子输运谱方法所得理论表达式进行比较。这一实验验证具有实际意义,因为可利用该理论提取器件参数,如弛豫时间 τp,n\tau_{p,n} 与结注入系数。这些实验旨在检验常规 p-n 结理论的推广。

关键词

引用

@article{arxiv.2011.13878,
  title  = {Measurement of $p\!-\!n$-junction diode behavior under large signal and high frequency},
  author = {Maria Augusta R. B. L. Fernandes and Edval J. P. Santos},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2011.13878},
  year   = {2020}
}

备注

7 pages, 7 figures, International Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2014, Aracaju, Brasil. Proceedings of the SBMicro 2014, 2014