大信号高频下 p-n 结二极管特性的测量
应用物理
2020-11-30 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
使用精密阻抗仪对频率高达 、电压幅值达 100 mV 的二极管动态电导与动态电容进行了测量。将结果与采用 p-n 结中载流子输运谱方法所得理论表达式进行比较。这一实验验证具有实际意义,因为可利用该理论提取器件参数,如弛豫时间 与结注入系数。这些实验旨在检验常规 p-n 结理论的推广。
引用
@article{arxiv.2011.13878,
title = {Measurement of $p\!-\!n$-junction diode behavior under large signal and high frequency},
author = {Maria Augusta R. B. L. Fernandes and Edval J. P. Santos},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.13878},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 7 figures, International Symposium on Microelectronics Technology and Devices, 2014, Aracaju, Brasil. Proceedings of the SBMicro 2014, 2014