高正向偏压下半导体二极管中偏压激活负电容的动态频率依赖性
介观与纳米尺度物理
2014-09-29 v1
摘要
我们在两组功能不同的结型二极管（即电发光二极管和非发光硅基二极管）中，观察到高电荷注入下负电容响应的频率依赖性存在定性差异。利用偏压激活微分电容响应技术，我们研究了不同二极管中不同速率过程的相互动力学。我们将这些观测结果解释为快慢电子跃迁速率之间的相互竞争，尽管其具体机制有所不同。这项研究有助于更好地理解高载流子注入下工作的结型二极管物理机制，并可能带来更优越的器件功能。
引用
@article{arxiv.1406.4719,
title = {Dynamic frequency dependence of bias activated negative capacitance in semiconductor diodes under high forward bias},
author = {Kanika Bansal and Mohamed Henini and Marzook S. Alshammari and Shouvik Datta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.4719},
year = {2014}
}
备注
13 pages, 3 sets of figures