非晶硅中锑扩散的研究
材料科学
2009-02-13 v1
摘要
非晶硅材料及其合金在微电子和光电器件的大面积技术应用中得到广泛使用。然而，非晶-晶体转变、偏析和扩散过程仍有许多未解问题。在本工作中，我们通过二次中性粒子质谱法 (SNMS) 研究了 Sb 在非晶 Si 薄膜中的扩散。采用直流磁控溅射法在室温下于 Si 衬底上制备了含 5 at% 锑的非晶 Si/Si1-xSbx/Si 三层样品。样品在真空 (p<10-7 mbar) 和 100 bar 高纯 (99.999%) Ar 压力下于不同温度进行退火。退火过程中观察到 Sb 合金层与非晶 Si 层之间的混合相当缓慢。假设扩散与浓度无关，评估的扩散系数在 823 K 时约为 ~10-21 m2s-1。
引用
@article{arxiv.0902.2042,
title = {Investigation of Sb diffusion in amorphous silicon},
author = {A. Csik and G. A. Langer and G. Erdelyi and D. L. Beke and Z. Erdelyi and K. Vad},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.2042},
year = {2009}
}
备注
This work was presented on JVC-11 conference