GeMn薄膜与Ge衬底之间电输运特性的相互影响
其他凝聚态物理
2011-03-30 v1 材料科学
摘要
我们提出证据表明，在高阻Ge衬底上制备的外延p型GeMn薄膜的电输运研究受到通过衬底的并联传导的严重影响，这与Ge因其窄带隙而具有的大本征电导率有关。通过考虑占主导地位的衬底贡献以及测量几何结构，可以完全理解反常霍尔测量和大磁阻效应。结果表明，即使对于导电性良好的简并p型薄膜，衬底传导仍然存在，从而产生有效的双层传导机制。使用n型Ge衬底，由于形成的pn界面结，可以降低p型外延层的衬底并联传导。在这些衬底上制备的GeMn薄膜表现出可忽略的磁阻效应。我们的研究强调了对于GeMn薄膜的电输运研究，彻底表征和理解可能的衬底贡献的重要性。
引用
@article{arxiv.1011.1450,
title = {Interplay between the electrical transport properties of GeMn thin films and Ge substrates},
author = {N. Sircar and S. Ahlers and C. Majer and G. Abstreiter and D. Bougeard},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.1450},
year = {2011}
}
备注
9 pages, 9 figures