连续位错晶体中的有效位错线：I. 材料非完整度
数学物理
2010-03-17 v5 math.MP
摘要
提出了一种对具有大量位错及由这些位错分布产生的次级点缺陷的 Bravais 单晶的连续几何描述。具体而言，基于 Kondo 和 Kroner 关于位错体的思想实验，区分出了一个由线性无关矢量场组成的非完整标架。该标架定义了缺陷晶体的局部晶体学方向，以及单个位错 Burgers 矢量的连续对应量。接下来，通过将这些局部晶体学方向以及 Burgers 回路视为位于某种黎曼材料空间中（当不存在位错时该空间变为欧几里得三维流形），模拟了次级点缺陷对大量位错分布的影响。讨论了该方法的一些推论。
引用
@article{arxiv.0709.1793,
title = {Effective dislocation lines in continuously dislocated crystals. I. Material anholonomity},
author = {Andrzej Trzesowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.1793},
year = {2010}
}
评论
Keywords. Anholonomity, Bravais moving frame, Burgers vector, crystal surfaces, dislocation density, integral manifolds, Killing vector, Lie algebra, long-range distortion, Riemannian space, short-range order, self-balance equations