带边缘的相关绝缘体的基态退化
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
利用拓扑通量插入程序，对填充因子为 的周期性晶格上的绝缘体基态退化性进行了研究，发现其至少为 倍。将相同论证应用于具有边缘的晶格，证明退化性由开放边界额外的边缘密度 所致。特别是，我们展示了这些边缘修正可能即使使填充因子为整数的绝缘体也具有退化性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409729,
title = {Ground-State Degeneracy of Correlated Insulators with Edges},
author = {Gil Refael and Hsiu-Hau Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409729},
year = {2007}
}
备注
4 pages, REVTeX 4