FeSb2 单晶中的巨大载流子迁移率
强关联电子
2009-11-13 v1 材料科学
摘要
我们报道了 FeSb2 单晶中的巨大载流子迁移率。霍尔电阻率的非线性场依赖性可以用双载流子模型很好地描述。高迁移率能带中的最大迁移率值在 8 K 时达到约 cm/Vs，在室温下约为 cm/Vs。我们的结果表明存在一类在固态电子学应用中具有广阔前景的材料。
引用
@article{arxiv.0804.3625,
title = {Giant Carrier Mobility in Single Crystals of FeSb2},
author = {Rongwei Hu and V. F. Mitrovic and C. Petrovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.3625},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures. Applied Physics Letters (in press)