头对头 BaTiO$_3$ 畴壁中的大霍尔电子迁移率
材料科学
2022-07-28 v1 应用物理
摘要
由于显著的畴壁电导（DWC），沿 [110] 晶向有意植入铁电 BaTiO 单晶中的强带电头对头（H2H）畴壁（DWs）已被提议作为新型二维电子气（2DEGs）。此处，我们通过室温下范德堡四探针构型的专用霍尔输运测量量化这些 2DEG 性质，发现电子迁移率达到约 400~cm(Vs)，而二维电荷密度约为 ~710cm。我们强调必须通过磁场扫描下评估霍尔电阻来考虑热偏移与几何错位偏移电压，否则推导出的迁移率和电荷密度值可能出现数百百分比的严重误差。除对导电 BaTiO 畴壁的具体表征外，我们提出该方法作为一种简便快速定量表征铁性导电畴壁的手段，可补充先前提出的基于扫描探针的霍尔势分析。
引用
@article{arxiv.2204.11265,
title = {Large Hall electron mobilities in head-to-head BaTiO$_3$-domain walls},
author = {Henrik Beccard and Benjamin Kirbus and Elke Beyreuther and Michael Rüsing and Petr Bednyakov and Jirka Hlinka and Lukas M. Eng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.11265},
year = {2022}
}
备注
8 pages, 4 figures; with included supporting information (4 pages, 5 figures)