单晶 AZn2Sb2 (A=Ca,Eu,Yb) 的性质
摘要
从标称成分为 AZn5Sb5 (A=Ca,Eu,Yb) 的熔体中生长了 CaZn2Sb2、EuZn2Sb2 和 YbZn2Sb2 单晶，并在 1073\,K 下去除了过量熔体。电输运性质与先前报道的多晶样品一致。这证实了从 2x10^{19}cm^{-3} 到约 1x10^{20}cm^{-3} 的 型载流子浓度是这些材料的本征特性。与多晶材料中的输运一致，发现 CaZn2Sb2 中的载流子迁移率最低，表明这些化合物中迁移率和热电效率的趋势是材料系统固有的，而非由于多晶样品中的不均匀性或杂质所致。这些结果表明 CaZn2Sb2 具有最强的掺杂/缺陷与电子框架之间的耦合。磁化测量揭示 EuZn2Sb2 在接近 13\,K 处发生反铁磁相变，观察到的磁各向异性表明自旋在三角晶格中平行和反平行于 轴排列。对 CaZn2Sb2 和 YbZn2Sb2 多晶样品的粉末中子衍射揭示了直至 1000\,K 的平滑晶格膨胀，其中 轴的膨胀速度快于 轴。从比热容数据和各向同性位移参数计算出的德拜温度被发现与载流子迁移率相关，其中 CaZn2Sb2 表现出最大的德拜温度和最小的迁移率。
引用
@article{arxiv.1202.4004,
title = {Properties of single crystalline AZn2Sb2 (A=Ca,Eu,Yb)},
author = {Andrew F. May and Michael A. McGuire and Jie Ma and Olivier Delaire and Ashfia Huq and Radu Custelcean},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.4004},
year = {2012}
}
备注
Copyright (2012) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics. The following article appeared in (J. Appl. Phys. 111, 033708 (2012)) and may be found at http://link.aip.org/link/?JAP/111/033708