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基于铁磁半导体的全电读写器件

介观与纳米尺度物理 2015-05-20 v1

作者: S. Mark , P. Dürrenfeld , K. Pappert , L. Ebel , K. Brunner , C. Gould , L. W. Molenkamp

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摘要

我们报道了利用铁磁半导体(Ga,Mn)As实现读写器件，这是迈向全新信息处理范式的第一步。磁态的写入通过电流诱导翻转实现，而磁态的读出则借助隧穿各向异性磁电阻(TAMR)效应。这一单比特演示器件可用于设计电可编程存储器和逻辑器件。

关键词

铁磁半导体读写器件电流诱导翻转隧穿各向异性磁电阻电可编程存储器逻辑器件

引用

@article{arxiv.1012.4252,
  title  = {Fully electrically read-write device out of a ferromagnetic semiconductor},
  author = {S. Mark and P. Dürrenfeld and K. Pappert and L. Ebel and K. Brunner and C. Gould and L. W. Molenkamp},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1012.4252},
  year   = {2015}
}

备注

4 pages, 4 figures