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铁磁(Ga,Mn)As纳米结构中的磁阻存储器

材料科学 2009-11-11 v1

作者: T. Figielski , T. Wosinski , A. Morawski , A. Makosa , J. Wrobel , J. Sadowski

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摘要

我们展示了一种新颖的磁阻效应，该效应出现在由铁磁(Ga,Mn)As层制备的、经光刻成形的三臂纳米结构中。该效应与结构中不同臂对之间磁畴壁的重排有关，表现为零场电阻对先前施加磁场方向的依赖性。该效应可能有助于设计具有独特开关和存储特性的器件。

关键词

磁阻存储器铁磁(Ga,Mn)As 纳米结构磁畴壁

引用

@article{arxiv.cond-mat/0610535,
  title  = {Magneto-resistive memory in ferromagnetic (Ga,Mn)As nanostructures},
  author = {T. Figielski and T. Wosinski and A. Morawski and A. Makosa and J. Wrobel and J. Sadowski},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610535},
  year   = {2009}
}

备注

7 pages, 3 figures