用于磁电读写操作的等效电路
介观与纳米尺度物理
2018-04-25 v2
摘要
我们描述了一个适用于多种磁电现象的等效电路模型,并使用 SPICE 仿真将该模型与实验数据进行基准比对。我们利用该模型提出了一种不同的工作模式:其中“1”和“0”状态不由具有净磁化强度的状态(如 、 或 )表示,而是由不同的易轴表示,定量地由 () 描述,其通过写入电压从“0”切换到“1”。这一变化作为读取信号通过逆效应被直接检测。使用 () 表示比特是对使用磁化强度 () 表示信息的标准惯例的根本背离。随后我们展示了如何利用该等效电路构建具有可调随机性的器件,并提出了将其扩展为具有读写能力的非易失性存储器的可能性,且无需使用外部磁场或磁隧道结。
引用
@article{arxiv.1710.10700,
title = {Equivalent Circuit for Magnetoelectric Read and Write Operations},
author = {Kerem Y. Camsari and Rafatul Faria and Orchi Hassan and Brian M. Sutton and Supriyo Datta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.10700},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 4 figures