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用于磁电读写操作的等效电路

介观与纳米尺度物理 2018-04-25 v2

摘要

我们描述了一个适用于多种磁电现象的等效电路模型,并使用 SPICE 仿真将该模型与实验数据进行基准比对。我们利用该模型提出了一种不同的工作模式:其中“1”和“0”状态不由具有净磁化强度的状态(如 mxm_xmym_ymzm_z)表示,而是由不同的易轴表示,定量地由 (mx2my2m_x^2 - m_y^2) 描述,其通过写入电压从“0”切换到“1”。这一变化作为读取信号通过逆效应被直接检测。使用 (mx2my2m_x^2 - m_y^2) 表示比特是对使用磁化强度 (mm) 表示信息的标准惯例的根本背离。随后我们展示了如何利用该等效电路构建具有可调随机性的器件,并提出了将其扩展为具有读写能力的非易失性存储器的可能性,且无需使用外部磁场或磁隧道结。

关键词

引用

@article{arxiv.1710.10700,
  title  = {Equivalent Circuit for Magnetoelectric Read and Write Operations},
  author = {Kerem Y. Camsari and Rafatul Faria and Orchi Hassan and Brian M. Sutton and Supriyo Datta},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1710.10700},
  year   = {2018}
}

备注

6 pages, 4 figures