填充因子 1/3 和 5/2 处的分数量子霍尔态：密度矩阵重正化群计算
强关联电子
2012-01-13 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
本文采用密度矩阵重正化群方法研究填充因子 和 5/2 处的分数量子霍尔效应。我们首先给出了两种填充因子下大系统尺寸的基准结果，以展示数值算法的准确性与能力。此外，我们表明，通过保留大量基态，对于电子数高达 的大系统，也能获得 处精确的纠缠谱，这远大于以往研究的系统。基于有限尺寸标度分析，我们证明了由 Li 和 Haldane 定义的纠缠隙在热力学极限下是有限的，这表征了 FQHE 态的拓扑序。
引用
@article{arxiv.1103.0772,
title = {Fractional Quantum Hall States at 1/3 and 5/2 Filling: the Density-Matrix Renormalization Group Calculations},
author = {Jize Zhao and D. N. Sheng and F. D. M. Haldane},
journal= {arXiv preprint arXiv:1103.0772},
year = {2012}
}
备注
6 pages, minor changes