准二维分数量子霍尔态的纠缠度量

我们从理论上研究了分数量子霍尔态中的纠缠，明确考虑并强调了实验量子霍尔系统的准二维特性。特别地，我们研究了最低和第二朗道能级中多种填充因子 $\nu$（$\nu$ = 1/3, 7/3, 1/2 和 5/2）下，纠缠熵和纠缠谱随准二维系统有限层厚度 $d$ 变化的函数关系。我们观察到纠缠度量依赖于电子分数占据的朗道能级，并发现被认为是 Laughlin 态的填充因子 1/3 和 7/3，在最低朗道能级（$\nu$=1/3）中随 $d$ 减弱，而在第二朗道能级（$\nu$=7/3）中随 $d$ 增强。对于神秘的偶数分母 $\nu=5/2$ 态，我们发现基态中的纠缠与最佳厚度 $d$ 下的非阿贝尔 Moore-Read Pfaffian 态的纠缠一致。我们还发现单层 $\nu = 1/2$ 系统不是分数量子霍尔态，这与实验观测一致。总体而言，我们基于纠缠考量的理论发现与基于波函数重叠计算的结果完全一致。