利用单层石墨烯 FET 中的负微分电阻实现高电压增益
介观与纳米尺度物理
2014-01-23 v2
摘要
通过自洽量子输运模拟，我们评估了单层石墨烯场效应晶体管（FET）在负输出微分电阻偏置区域的射频性能。结果表明，与准饱和区域相比，可以获得大于 10 的电压增益，但代价是最大振荡频率降低约 1.5 至 3 倍，且需要仔细的电路稳定措施。
引用
@article{arxiv.1309.1105,
title = {Exploiting negative differential resistance in monolayer graphene FETs for high voltage gains},
author = {Roberto Grassi and Antonio Gnudi and Valerio Di Lecce and Elena Gnani and Susanna Reggiani and Giorgio Baccarani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.1105},
year = {2014}
}
备注
7 pages, 10 figures