单层石墨烯中的非线性电阻率与热耗散
介观与纳米尺度物理
2012-06-04 v1 材料科学
摘要
我们实验研究了二氧化硅衬底上单层石墨烯器件中电导的非线性特性。这种非线性表现为微分电阻随施加在样品上的直流偏压的非单调依赖。在约70K以下温度，微分电阻在零偏压附近出现一个峰，可归因于载流子的自加热。我们表明该峰的形状源于载流子不同能量耗散机制的组合。在较高载流子温度下的能量耗散关键取决于样品的长度。对于长度大于10微米的样品，热损失由二氧化硅-石墨烯界面的光学声子决定。
引用
@article{arxiv.1202.3394,
title = {Non-linear resistivity and heat dissipation in monolayer graphene},
author = {A. S. Price and S. M. Hornett and A. V. Shytov and E. Hendry and D. W. Horsell},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.3394},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 4 figures