悬浮多层石墨烯中的热电子输运
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v1
摘要
我们通过一种独特的实验方法研究了短沟道悬浮多层石墨烯器件中的热电子输运。对于具有半透明接触势垒的器件，在源漏偏压Vd=0处观察到微分电导(dI/dV)的凹陷，以及在较高Vd处可能由光学声子散射引起的异常。对于具有低接触势垒的器件，仅观察到Vd=0处的dI/dV凹陷，并且我们发现dI/dV对偏压Vd和温度T均具有良好的对数依赖性。Vd的对数依赖性可用热电子效应解释，而T的对数依赖性可能归因于二维弱局域化。
引用
@article{arxiv.1007.1755,
title = {Hot electron transport in suspended multilayer graphene},
author = {Sungbae Lee and Nelka Wijesinghe and Carlos Diaz-Pinto and Haibing Peng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.1755},
year = {2015}
}