真实忆阻器电路中混沌的实验证据
混沌动力学
2015-09-02 v1 新兴技术
摘要
迄今为止，文献中提出的多数基于忆阻器的混沌电路建立在假设理想特性（如分段线性或三次非线性）的数学模型上。本文阐述的思想源于器件表征的实验方法，旨在利用仅一个忆阻器的非线性，通过带反馈的极简单实验装置实现混沌系统。以此获得简单电路，且实验观察到混沌，并通过最大李雅普诺夫指数计算确认。使用Strukov模型的数值结果支持我们电路中存在稳健混沌。这是真实忆阻器电路中混沌的首次实验演示，并表明忆阻器非常适合硬件加密。
引用
@article{arxiv.1504.06537,
title = {Experimental evidence of chaos from memristors},
author = {L. V. Gambuzza and L. Fortuna and M. Frasca and E. Gale},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.06537},
year = {2015}
}
备注
Accepted for publication in International Journal of Bifurcation and Chaos