坡莫合金纳米线中磁畴壁结构的调控

利用洛伦兹透射电子显微镜，我们研究了钉扎在 Cr(3 nm)/Permalloy(10 nm)/Cr(5 nm) 宽度500 nm纳米线中非拓扑缺陷处的畴壁行为。钉扎位点由线性缺陷构成，其磁性质通过聚焦离子束显微镜使用直径约10 nm的Ga离子探针进行修饰。我们利用配备像差(Cs)校正扫描透射电子显微镜的电子能量损失谱和微分相衬成像，研究了修饰区域（其尺度为聚焦离子束斑大小）的详细变化。观察到的信号变化表明，尽管离子探针尺寸仅10 nm，但辐照修饰的区域对应于约40-50 nm。采用洛伦兹透射电子显微镜的菲涅耳模式，我们表明不仅可通过辐照剂量而且可通过线条取向来控制畴壁结构及其退钉扎强度。