缺口结构对平面纳米线中磁畴运动的影响
介观与纳米尺度物理
2017-11-27 v1
摘要
我们利用宽场克尔显微技术直接观察了带有缺口的坡莫合金纳米线中的磁畴运动。纳米线中缺口的尺寸与形状可调控畴壁运动。研究表明，通过调节缺口可调控矫顽场。实验结果与微磁模拟结果一致。我们还研究了缺口角度与畴成核之间的关系。本工作对基于缺口的自旋电子器件的设计与开发具有参考价值。
引用
@article{arxiv.1711.08788,
title = {Effect of Notch Structure on Magnetic Domain Movement in Planar Nanowires},
author = {Hua Ling and Junlin Wang and Xianyang Lu and Junran Zhang and Li Chen and Christopher Reardon and Jason Zhang and Yichuan Wang and Yu Yan and Jing Wu and Yongbing Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.08788},
year = {2017}
}
备注
4 pages, 4 figures