调制直径圆柱纳米线中磁场诱导畴壁传播建模

调制直径圆柱纳米线中的畴壁传播是为设计三维磁存储器件而需研究的关键现象。本文对具有直径调制的圆柱纳米线内磁场作用下的横向畴壁行为进行了理论研究。特别地，使用有限元微磁模拟和解析方法，对靠近直径调制处的畴壁钉扎进行了量化。针对平缓斜率调制的定性解析模型得出了一个简单标度律，其在分析实验时可能对指导纳米线设计有用。它表明畴壁退钉扎场值与调制斜率成正比。