纳米尺度坡莫合金结中的磁畴壁调控
计算物理
2017-08-22 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
纳米尺度磁结提供了一种有用的方法，可用作磁阻随机存取存储器（MRAM）的基本单元，其中关键问题之一是控制磁畴构型。在此，我们通过微磁模拟研究了不同厚度的坡莫合金（Fe20Ni80）纳米磁结中的畴结构与磁翻转。研究发现，根据器件厚度的不同，在结与导线臂之间可形成90度和45度磁畴壁。磁翻转场表现出明显的厚度依赖性，其宽峰随结尺寸不同在7 nm至22 nm间变化，且较大的磁翻转场有利于MRAM操作的稳定性。
引用
@article{arxiv.1605.05998,
title = {Magnetic Domain Wall Engineering in a Nanoscale Permalloy Junction},
author = {Junlin Wang and Xichao Zhang and Xianyang Lu and Jason Zhang and Hua Ling and Jing Wu and Yan Zhou and Yongbing Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.05998},
year = {2017}
}
备注
9 pages,5 figures