一种用于赛道纳米线条的多元域磁隧道结
新兴技术
2022-05-26 v1
摘要
畴壁存储器（DWM）具有 SRAM 级访问性能、低能耗、高耐久性、高密度和 CMOS 兼容性。近期，移位可靠性和存内处理（PuM）的提案产生了对 DWM 纳米线某一段中平行或反平行畴数量进行计数的需求。本文中，我们提出一种多元域磁隧道结（MTJ），其可检测作为平行或反平行畴数量函数的不同电阻电平。利用基于 LLG 的细致微磁仿真，我们演示了多元域 MTJ，研究了其宏观尺寸对工艺变化鲁棒性的益处，并给出了用于缩放多元域 MTJ 尺寸的宏模型。我们的结果表明其可扩展至七畴，同时保持 16.3mV 的读出裕量。
引用
@article{arxiv.2205.12494,
title = {A Multi-domain Magneto Tunnel Junction for Racetrack Nanowire Strips},
author = {Prayash Dutta and Albert Lee and Kang L. Wang and Alex K. Jones and Sanjukta Bhanja},
journal= {arXiv preprint arXiv:2205.12494},
year = {2022}
}
备注
This paper is under review for possible publication by the IEEE