域壁相互作用对磁隧道结纳秒开关的影响
其他凝聚态物理
2016-08-16 v1
摘要
我们获得了关于域壁 stray 场影响磁隧道结中纳秒尺度磁化开关的微观证据。磁隧道结类 FeNi/Al2O3/Co 三层结构中软磁 Fe20Ni80 层的磁化开关核化势垒，因 Co 层中存在的域壁产生的 stray 场而显著降低。这一内部偏置场可显著提高软层的局部开关速度。该效应通过纳秒时间分辨和层次分辨的磁域成像进行可视化，并通过微磁模拟得到验证。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0509029,
title = {Influence of domain wall interactions on nanosecond switching in magnetic tunnel junctions},
author = {Jan Vogel and Wolfgang Kuch and Riccardo Hertel and Julio Camarero and Keiki Fukumoto and Fabien Romanens and Stefania Pizzini and Marlio Bonfim and Frédéric Petroff and Alain Fontaine and Jürgen Kirschner},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0509029},
year = {2016}
}
备注
5 Pages, 3 Figures. Submitted to Physical Review Letters