域壁诱导的图案化超导体-铁磁体条纹低场H-T相图调制
超导电性
2019-04-10 v4
摘要
我们呈现了对Nb/Ni双层条纹中磁域壁诱导的超导转变温度（Tc）调制的系统研究。通过将Ni层厚度从20 nm变化到100 nm，我们得以测量跨越尼尔域壁与布洛赫域壁厚度范围的低场Tc-H相图。微磁模拟与磁力显微镜测量证实，相较于尼尔壁，布洛赫域壁具有更强的面外杂散场。在Ni膜的磁化反转区域观察到Tc受到抑制，其抑制幅度与域壁所致面外杂散场强度呈线性跟随关系。通过将受抑制区域H-Tc相图的Tc与H-Tc曲线未受影响部分比较，对杂散场大小进行了量化。在布洛赫域壁下观察到Tc变化超过60 mK，远多于早前报道。我们认为，双层的窄条纹几何结构与横向外场最大化了Ni层域壁对上层超导薄膜的影响，从而导致更大的Tc变化。该观测或有助于超导自旋电子学中的域壁控制开关器件。
引用
@article{arxiv.1901.02608,
title = {Domain wall induced modulation of low field H-T phase diagram in patterned superconductor-ferromagnet stripes},
author = {Ekta Bhatia and Zoe H. Barber and Ilari J. Maasilta and Kartik Senapati},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.02608},
year = {2019}
}
备注
13 pages, 4 figures