二维 MoS2 半导体的电化学表面修饰
应用物理
2020-06-26 v1 化学物理
摘要
二维半导体材料（如过渡金属硫族化合物（TMDCs））的表面修饰正变得对一系列广泛应用十分重要，例如生物传感、催化、能量生成与能量存储。由于其基面的化学惰性，二维 TMDCs 的表面修饰主要局限于其缺陷位点，或者需要将 TMDC 从其半导体相转换为金属相。在这项工作中，我们展示了二维半导体二硫化钼（MoS2）的基面可以通过芳基重氮盐（如 3,5-双(三氟甲基)苯重氮四氟硼酸盐）的电化学接枝进行修饰。为研究该方法的适用性，我们在 MoS2 纳米带上通过不同电极单独寻址来进行电接枝。该方法在纳米尺度上的高空间选择性为通过电极接触的相邻二维层和纳米结构的特异性表面修饰开辟了可能性。该方法可能潜在地适用于其他在相同电势窗口内活跃且发生芳基重氮盐电化学还原的二维半导体材料。
引用
@article{arxiv.2006.14220,
title = {Electrochemical Surface Modification of a 2D MoS2 Semiconductor},
author = {Martina Lihter and Michael Graf and Damir Iveković and Tzu-Hsien Shen and Yanfei Zhao and Vasiliki Tileli and Aleksandra Radenovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.14220},
year = {2020}
}