界面电场对自旋器件中磁电阻的影响
介观与纳米尺度物理
2015-06-17 v1
摘要
通过引入适用于描述界面量子隧穿现象的密度梯度 (DG) 项，对标准自旋扩散理论进行了扩展。磁电阻 (MR) 比率通过界面电场受到 DG 项的修正。我们还利用四端 Si 器件进行了自旋注入和探测测量。局部测量表明，MR 比率随电流方向的变化而变化。我们指出，MR 比率随电流方向的变化源于 DG 项对两个界面电子结构不对称性的考量。
引用
@article{arxiv.1310.0881,
title = {Effects of interface electric field on the magnetoresistance in spin device},
author = {T. Tanamoto and M. Ishikawa and T. Inokuchi and H. Sugiyama and Y. Saito},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.0881},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures