Pt/(Ga,Mn)N器件中的自旋霍尔磁阻
介观与纳米尺度物理
2024-10-14 v2
摘要
稀磁半导体（DMS）因其在自旋电子学应用中的潜力而备受关注。特别是，磁性掺杂的GaN因与CMOS工业高度相关，以及开发与当前工业流程完全兼容的先进自旋电子学器件的可能性而极具吸引力。尽管备受关注，但仍需研究表征这些系统界面特性的自旋电子学参数。在此，我们通过自旋霍尔磁阻（SMR）测量来评估Pt/(Ga,Mn)N界面的自旋转移。我们通过估算自旋混合电导的实部来确定界面的透明度，得到 ，与最先进的钇铁石榴石（YIG）/Pt界面相当。此外，SMR在(Ga,Mn)N居里温度TC之上探测到的磁有序为高效产生和检测自旋流提供了更宽的温度范围，放宽了该材料应用于新型自旋电子学器件的条件。
引用
@article{arxiv.2405.08519,
title = {Spin Hall magnetoresistance in Pt/(Ga,Mn)N devices},
author = {J. Aaron Mendoza-Rodarte and Katarzyna Gas and Manuel Herrera-Zaldívar and Detlef Hommel and Maciej Sawicki and Marcos H. D. Guimarães},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.08519},
year = {2024}
}
备注
14 pages, 3 main figures