含自旋活性界面的量子点磁阻
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v2
摘要
我们研究了与两个铁磁导体相连且容性耦合到电压源 Vg 的相互作用量子点的零偏置磁阻 MR。我们通过在 Anderson 模型中引入有效交换场来考察量子点与导体之间接触的自旋活性。这一自旋活性会促进负 MR 效应，甚至可导致可随 Vg 可调的巨型 MR 效应。假设轨道两度简并，我们的方法允许以相互作用图景解释 Sahoo 等人 [Nature Phys. 2, 99 (2005)] 在单壁碳纳米管上磁阻测量的 MR(Vg)。如果该实验在更大的 Vg 范围内重复，我们预计 MR(Vg) 振荡将不像目前可用数据那样规则，这是由于库仑相互作用造成的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0605264,
title = {Magnetoresistance of a quantum dot with spin-active interfaces},
author = {Audrey Cottet and Mahn-Soo Choi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0605264},
year = {2009}
}
备注
9 pages, 6 figures, to appear in Phys. Rev. B