拓扑莫特绝缘体中的边缘零点与边界自旋子

我们引入了拓扑莫特绝缘体物理的实空间从转子理论，以 Kane-Mele-Hubbard 模型为例，并用它来证明格林函数零点中的拓扑能隙对应于体自旋子谱中的能隙，且零边缘模式对应于自旋子边缘模式。然后我们考虑拓扑莫特绝缘体与常规拓扑绝缘体之间的界面，展示了拓扑莫特绝缘体的自旋子边缘模式如何与常规电子拓扑边缘态的自旋部分结合，留下一个由无能隙传播全子和有能隙自旋子态描述的非费米液体边缘模式。我们的工作证明了格林函数零点的物理意义，并表明常规拓扑绝缘体与莫特拓扑绝缘体之间的界面是新物理的丰富来源。