拓扑 Mott 绝缘体边缘态与解熵量子临界点
强关联电子
2025-09-10 v2
摘要
拓扑性质和异常性质导致出现可以与临界bulk涨落相互作用的边缘态。为研究这一情形, pertaining to boundary criticality,我们考虑一种在动态生成的量子自旋 Haldane 态(即拓扑 Mott 绝缘体)与 s 轨道超导体之间存在解熵量子临界点(DQCP)的模型。对于拓扑 Mott 绝缘体,证明了bulk Goldstone 模态在螺旋 Luttinger 流动固定点处是次要的。解熵量子临界点是一种涌现异常的实例,我们观察到该点上出现一个尖锐局部边缘态。边缘态的锐利程度与电子边缘态在解耦于临界边缘玻色涨落的普通相一致。 在 DQCP 处,边缘电子的尺度维数出现跳变,这一特征被认为是涌现异常的标志。我们的结果基于大规模辅助场量子蒙特卡罗模拟。我们还对 Kane-Mele-Hubbard 模型进行了计算,以确认bulk临界点附近普通与异常相的光谱特征。
引用
@article{arxiv.2508.04455,
title = {Edge modes of topological Mott insulators and deconfined quantum critical points},
author = {Yuhai Liu and Toshihiro Sato and Disha Hou and Zhenjiu Wang and Wenan Guo and Fakher F. Assaad},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.04455},
year = {2025}
}
备注
8 pages, 8 figures