二维拓扑绝缘体的边缘电容

我们研究了二维拓扑绝缘体（TI）边缘态的电容。总电容由三个电容器串联组成，分别代表几何电容 $C_G$、量子电容 $C_Q$ 和关联电容 $C_{corr}$ 对电子能量的贡献。在库仑相互作用较弱时，它们满足不等式 $C_G<C_Q<C_{corr}$。我们计算了圆形拓扑绝缘体量子点情形下的 $C_G$ 和 $C_Q$。在有限温度下，考虑有磁场和无磁场时的边缘态量子化，确定了量子电容。我们得出结论，在所采用的近似下，$C_{corr}=0$。