拓扑绝缘体与石墨烯中(自旋)霍尔效应的动力学
介观与纳米尺度物理
2011-02-21 v1 统计力学
摘要
一个具有质量间隙的单个二维狄拉克锥在无磁场条件下会产生量子化的(自旋)霍尔台阶。在强电场中会发生什么？本文通过分析(自旋)霍尔效应的时间演化和动力学来研究这一问题。在施加纵向电场后，通过阻尼振荡达到稳态霍尔电流。只要电场(E)弱到不足以引发朗道-齐纳跃迁，霍尔电导率就保持量子化；但对于强电场，量子化被破坏，电导率按1/sqrt{E}的规律下降。这些结论适用于石墨烯的(自旋)霍尔电导率以及拓扑绝缘体的霍尔响应和磁电响应。
引用
@article{arxiv.1008.0531,
title = {Dynamics of the (spin-) Hall effect in topological insulators and graphene},
author = {Balázs Dóra and Roderich Moessner},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.0531},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 3 figures