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Rashba-Dresselhaus 体系中面内磁场对自旋洛伦兹效应的影响

强关联电子 2007-08-15 v1 超导电性

摘要

在具有 Rashba 和 Dresselhaus 自旋轨道耦合的二维电子气中,有两个自旋分裂的能带与一个退化点相连。能带和费米面的拓扑结构可以通过面内磁场进行调节。我们发现,如果化学势位于上带底部与退化点之间,则仅通过改变磁场方向,自旋洛伦兹导电率的大小可变动约为 100%。一旦化学势位于退化点以上,自旋洛伦兹导电率便为常数 e/8πe/8\pi,独立于磁场的大小和方向。此外,我们发现面内磁场对电荷洛伦兹导电率没有影响。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0411696,
  title  = {Dynamical Breakup of the Fermi Surface in a doped Mott Insulator},
  author = {M. Civelli and M. Capone and S. S. Kancharla and O. Parcollet and G. Kotliar},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0411696},
  year   = {2007}
}

备注

5 pages, 5 figures