中文

低维系统中莫特转变附近费米面的破裂

强关联电子 2007-05-23 v2

摘要

我们研究了弱耦合一维(1d)费米子链中的莫特转变。使用动力学平均场理论的推广,我们表明莫特能隙在某个临界跳跃tc2t_{\perp}^{c2}处被抑制。从一维绝缘体到二维金属的转变经历一个中间相,其中费米面破裂成电子和空穴口袋。准粒子谱权重沿费米面强烈各向异性,在中间相和金属相中都是如此。我们认为这样的口袋在光电子发射实验中看起来像“弧”。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0602304,
  title  = {Breakup of the Fermi surface near the Mott transition in low-dimensional systems},
  author = {C. Berthod and T. Giamarchi and S. Biermann and A. Georges},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602304},
  year   = {2007}
}

备注

REVTeX 4, 5 pages, 4 EPS figures. References added; problem with figure 4 fixed; typos corrected